Рус Бел Eng De Cn Es Ar
Федотов Александр Кириллович

Федотов Александр Кириллович

заведующий кафедрой, профессор, доктор физико-математических наук, профессор
телефон 209-54-51     e-mail fedotov@bsu.by

Преподаваемые дисциплины

Материалы энергетики и энергосбержения. Часть 1.
Материалы энергетики и энергосбержения. Часть 2.
Материалы энергетики и энергосбержения. Часть 3.
Основы материаловедения. Часть 1.
Основы материаловедения. Часть 2.
Энергоматериаловедение
Материалы с особыми теплофизическими свойствами.
Диффузионные процессы в конденсированных средах.
Физико-химия поверхности.
Специальные материалы для энергетики и энергосбережения.
Энергетика 21 века. (Магистерский курс).
Основы энергосбережения. (Курс для гуманитарных факультетов).
Материалы для энергетики и энергосбережения (Введение в специальность).

Научные интересы

Электронный транспорт и магнитотранспорт в нанокомпозитах «металл-диэлектрик».
Темплейтно-ассистированный синтез наноструктур.
Электрофизические свойства моно- и поликристаллического кремния.
Оптические и электрофизические свойства тонких пленок для создания солнечных элементов.
Наноматериалы и наноструктуры.
Диффузионные процессы в кристаллах.
Разработка учебного оборудования и методического обеспечения по энергосбережению и возобновляемым источникам энергии.
Термоэлектрические материалы.
Монографии и учебные пособия:

1. Федотов А.К. Основы материаловедения в 3-х частях. Часть 1: Физика твердого тела. Учебное пособие с грифом Министерства образования РБ. Изд. «Вышейшая школа». 2010. – 400 с.
2. Ogniwa fotowoltaiczne dla energetyki slonecznej – zagadnienia materialowe / N. Drozdov, A. Fedotov, A. Mazanik, J. Partyka, P. Wegierek, P. Zukowski – Lublin: Politechnika Lubelska, 2006. – 103 p.
3. А.К. Федотов. Композиционные материалы. Наноматериалы. Энергофизика. Энциклопедия для школьников и студентов. В 12 т. Физика. Математика / под общ. Ред. Н.А. Поклонского. – Минск: Беларус. Энцыкл. Имя П. Броукi, 2010. с. 127–128, 179-181, 365-367.
4. Г.М.Волохов, В.Л. Ганжа, Н.А.Дроздов Н.А.Карбалевич, А.Н. Костин, А.К. Федотов. Основы эффективного использования энергетических ресурсов. Пособие для студентов гуманитарных специальностей. Минск, БГУ, 2005. – 88 с.

Статьи:

5. A.Pushkarchuk, A.Saad, V.Pushkarchuk, A.Fedotov, A.Mazanik, O.Zinchuk, S.Turishchev. Quantum chemical modelling of Si sub-surface amorphisation due to incorporation of H atoms and its stabilisation by O atoms. Physica status solidi (c). – 2010. – NN. 3-4. – P. 650-653.
6. A.M.Saad, A.V.Frantskevich, N.V. Frantskevich, A.K.Fedotov, A.V.Mazanik, M.I.Tarasik, A.M.Yanchenko, P.Wengierek, P.Zukovski. Formation of nanotubes in Cz-Si wafers using He+ implantation and subsequent O+-- or N+- plasma treatment. Vacuum, 2009, V.83, P.S103-S106.
7. P. Zukowski, T. Koltunowicz, Yu.A. Fedotova, A.V. Larkin. Hopping conductivity of metal-dielectric nanocomposites produced by means of magnetron sputtering with the application of oxygen and argon ions. Vacuum. – 2009. − V.83. − P. 280−283
8. A.V. Frantskevich, A.M. Saad, A.V. Mazanik, N.V. Frantskevich, A.K. Fedotov, V.S. Kulinkauskas, A.A. Patryn. Study of nanopipes formed in silicon wafers using helium implantation by SEM, RBS and SIMS methods. J. Mater. Sci: Mater Electron (2008) 19:S239–S242.
9. A.Saad, A. Odrinski, M. Tivanov, N. Drozdov, A. Fedotov, V. Gremenok, A. Mazanik, A. Patryn, V. Zalesski, E. Zaretskaya. Investigation of defects in Cu(In,Ga)(S,Se)2 films using the photocurrent decay technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2008. – Vol. 19, Suppl. 1. – P. 371-374
Yu.A. Ivanova, D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov. Electrochemical deposition of Te and electroless deposition of Se nanoparticles in etched tracks of Au+ ions in SiO2 layer on n-Si (100) wafers. Materials Science and Engineering B 147 (2008) 271–275.
10. Anis Saad, O.I. Velichko, Yu. P. Shaman, A. Barcz, A. Misiuk and A.K. Fedotov. Investigation of the Hydrogen Transport Processes in Crystalline Silicon of n-Type Conductivity. Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 425-430.
11. Formation of insulating oxygen-containing layer on the silicon wafer surface using low-temperature hydrogenation / O. Zinchuk, A. Saad, N. Drozdov, A. Fedotov, S. Kobeleva, A. Mazanik, A. Patryn, V. Pilipenko, A. Pushkarchuk // J. of Materials Science: Materials in Electronics. – 2008. – Vol. 19. – P. 273-276.
12. O.I. Velichko, Yu.P. Shaman, A.K. Fedotov, A.V. Masanik. Set of equations for transient enhanced diffusion in shallow ion-implanted layers. Computational Materials Science 43 (2008) 279–285.
13. O. Zinchuk, N.Drozdov, A.Mazanik, A. Fedotov, P,Zukowski, J. Partyka, P. Wegierek, T. Koltunowicz. Photoresponse of hydrogen plasma treated and electron irradiated silicon wafers. Vacuum 81 (2007), p. 1332-1336.
14. A. M. Saad, V.A. Kalaev, J.A. Fedotova, K.A. Sitnikov, A.V. Sitnikov, Yu. E. Kalinin, A.K.Fedotov, A.I. Svito. Structure and magnetic properties of nanogranular composites CoFeZr-alumina Rev. Adv. Mater. Sci. 14 (2007) 14-21.
15. J.A.Ivanova, D.K. Ivanou, A.K.Fedotov, E. A. Streltsov, S.E.Demyanov, A. V. Petrov, E. Yu. Kaniukov, D.Fink. Electrochemical deposition of Ni and Cu onto monocrystalline n- Si(100) wafers and in nanopores of SiO2/n- Si template. J. Mater. Sci. (2007) 42, 9163-9169.
16. M. Tivanov, E. Ostretsov, N. Drozdov, L. Survilo, A. Fedotov, Yu. Trofimov, A. Mazanik. Optical and photoelectrical properties of CdSxSe1-x films produced by screen-printing technology. Physica Status Solidi (b). Volume 244, Issue 5, 2007. Pages 1694-1699.
17. A.M. Saad, A.K.Fedotov, I.A. Svito, J.A. Fedotova, B.V. Andrievsky, Yu.E. Kalinin, A.A.Patryn, V.V. Fedotova, V. Malyunina-Bronskaya, A.V. Mazanik, A.V. Sitnikov. Impedance and magnetization of CoFeZr nanoclusters embedded into alumina matrix. Journal of Alloys and Compounds 423 (2006) 176-180.
18. Anis Saad, A.K. Fedotov, I.A. Svito, A.V. Mazanik, B.V. Andrievsky, A.A. Patryn, Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov. AC conductance of (Co0.45Fe0.45Zr0.10)x(Al2O3)1-x nanocomposites. Progress in Solid State Chemistry 34 (2006) 139-146.
19. A.M. Saad, A.K. Fedotov, J.A. Fedotova, I.A. Svito, B.V. Andrievsky, Yu.E. Kalinin, V.V. Fedotova, V. Malyunina-Bronskaya, A.A. Patryn, A.V.Mazanik, A.V. Sitnikov. Characterization of (Co0.45Fe0.45Zr0.10)x -(Al2O3)1-x nanocompozite films applicable as spintronic materials. Phys. Stat. Sol. (c) 3 (2006) 1283-1290.
20. Anis Saad, O.I. Velichko, Yu.P. Shaman, A.V. Mazanik, A.K. Fedotov, V.V. Fedotova. Modeling of hydrogen diffusion in silicon crystals. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 253 (2006) 118–121.
21. A. Saad , A. Fedotov, O. Velichko, V. Pachynin, A. Davydko. Simulation of diffusion in p-type compound semiconductor: the case of beryllium implanted in InGaAs. phys. stat. sol. (b) 243 (2006) 2665-2671.
22. V. Grivickas, V. Bikbajevas, M.I. Tarasik, A.K. Fedotov. Investigation of structure and carrier recombination in TlGaSe2 layered crystals. Lithuanian Journal of Physics, 46 (2006) 67-72.
23. V. Grivickas, V. Bikbajevas, M. I. Tarasik, and A.K. Fedotov. Investigation of structure and carrier recombination in TlGaSe2 layered crystals. Lithuanian Journal of Physics, Vol. 45, No 5, (2005).
24. D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V.Mazanik. Electrochemical deposition of nanocrystalline PbSe layers onto p –Si (100) wafers. Thin Solid Films 487(2005) 49-53.
25. Formation of buried insulating island-like SiO2 layer in silicon / A.V. Frantskevich, A.K. Fedotov, N.V. Frantskevich, A.V. Mazanik, E.I. Rau, V.S.Kulikayskas // Material Science and Engineering B. – 2005. – Vols. B124-125. – P. 341-344.
26. A. L. Pushkarchuk, A.M. Saad, A.K. Fedotov, S.A. Kuten. Simulation of carbon containing complexes at silicon-silicon grain boundaries in cluster approximation. Thin Solid Films 487(2005) 142-146.
27. A.M. Saad, A. L. Pushkarchuk, A.K. Fedotov, S.A. Kuten and A. Mazanik. Simulation of oxygen – or carbon containing complexes at silicon-silicon interface in cluster approximation. Phys. Stat. Sol. (c) 2, No.6, 1886-1891 (2005).
28. A. Saad, A. Mazanik, A. Fedotov, J. Patryka, P. Wegierek, P. Zukowski. Influence of low-energy ion-beam treatment by hydrogen on electrical activity of grain boundaries in polycrysalline silicon. Vacuum 78 (2005) 269-272.
29. D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V.Mazanik, D.Fink, A. Petrov. Electrochemical deposition of PbSe and CdTe nanoparticles onto p-Si (100) wafers and nanopores in SiO2 / Si (100) structure. Thin Solid Films 490 (2005) 154-160.
30. D. Fink, D. Sinha, J. Opitz-Coutureau, A.V. Petrov, S.E. Demyanov, W.R. Fahrner, K.Hoppe, A.K.Fedotov, L.T. Chadderton, A.S. Berdinsky. Nanotechnology with ion track - tailored media. Physics, Chemistry and Application of Nanosructure, 2005, 474-481.
31. A.V. Petrov, S.E. Demyanov, D. Fink, W.R. Fahrner, A.K.Fedotov, P.S. Alegaonkar, A.S. Berdinsky. Novel electronic devices for nanotechnology based materials with ion tracks. Physics, Chemistry and Application of Nanosructure, 2005, 544-547.
32. A.M.Saad, A.K.Fedotov, A.V. Mazanik, M.I. Tarasik, A.M. Yanchenko, A.S.Posedko, L.Y.Survilo, Yu. V. Trofimov, N.F. Kurilovich. Modification of electrical properties of CdS x Se1-x films by hard irradiation and nanostructuring. Thin Solid Films 487(2005) 202-204.
33. A.M. Saad, A.V. Mazanik, A.K.Fedotov, A.A.Patryn, S.V.Chigir, N.A.Drozdov, A.I.Stognij. Modification of radiation hardness of silicon p-n junction photodiodes by hydrogen plasma treatment. Journal of Materials Science 40 (2005) 1399 -1403.
34. А.В. Францкевич, Е.И. Рау, А.К. Федотов, А.В. Мазаник, Н.В. Франц-кевич, Е.В. Журавкевич. Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой созданный имплантацией водорода. Поверхность, 2004, №3, с. 52-56.
35. A. L. Pushkarchuk, A. K. Fedotov and S. A. Kuten. Simulation of oxygen-containing complexes at silicon–silicon interface in cluster approximation. J. of Alloys and Compounds, Vol. 382, 2004, pp. 278-282.
36. A.K. Fedotov, O.I. Velichko, V.A. Dobrushkin. A set of equations of stress-mediated evolution of the nonequilibrium dopant-defect system in semiconductor crystals. J. of Alloys and Compounds, Vol. 382, 2004, pp. 283-287.
37. A.M. Saad, A.V. Mazanik, Yu.E. Kalinin, J.A. Fedotova, A.K. Fedotov, S. Wrotek, A.V. Sitnikov and I.A. Svito. Structure and electrical properties of CoFeZr-aluminium oxide nanocomposite films. Reviews on Advanced Materials Science, Vol. 8, 2004, pp. 34-40.
38. A.K.Fedotov, A.L.Pushkarchuk, S.A.Kuten. Simulation of oxygen contaminated silicon grain boundaries in cluster approximation. Solid State Phenomena, vols. 95-96 (2004) pp. 571-576.
39. A. Fedotov, Anis M.H. Saad, K. Enisherlova, A.Mazanik, B.G. Gorachev, E.M. Temper. Electrical properties of Si/SiO2/Si structures produce by dyrect-bonding of pre-oxydized silicon wafers. Microelectronic Engineering, 2003, Vol. 66, p. 522-529
40. N. Drozdov and A. Fedotov. Electron–hole drops in dislocational silicon. Microelectronic Engineering , Vol. 66 (2003) pp. 392-399.
41. O. I. Velichko, A. K. Fedotov. The influence of charge states and elastic stresses on the diffusion of point defects in silicon. Materials Science and Engineering B, 2003, Vol. 99 , p. 567-571.
42. J.A. Fedotova, A.K. Fedotov, N.A. Shishonok, J. Stanek. Charge state and distribution of iron ions in polycrystalline cubic boron nitride. Optical Materials, 2003, Vol. 23, p. 71-77.
43. O. I. Velichko, A. K. Fedotov. Equations for coupled diffusion of dopants atoms and point defects in semiconductor crystals. Nonlinear Phenomena in Complex Systems, 2003, Vol. 6, p. 607-618.
44. A.Fedotov, A.Mazanik, A.Ulyashin. Electrical activity of grain boundaries in silicon bicrystals and its modification by hydrogen plasma treatment. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2002, vol. 72, p. 589-595.
45. A.Fedotov, A.Mazanik, A. Ulyashin.. Charge Relaxation at Oxygen-Enriched Silicon Grain Boundaries. Solid State Phenomena, Vols 82-84, 2002, p. 515-520.
46. A.K. Fedotov, A.V. Mazanik, T. Figielski, A. Makosa, M Ilyashuk. Metallic and non-metallic longitudinal conductance of grain boundaries in bicrystalline and polycrystalline germa-nium doped with mercury and antimony. Journal of Physics: Condenced Matter, 2002, Vol. 14, N48, p. 1311-13118.
47. A.Fedotov, Anis M.H. Saad, K. Enisherlova, A.Mazanik. Electrical characterization of interfaces in unitype directly bonded silicon wafers. Material Science and Engineering, 2002, vol. B91-92, p. 384-388.
48. A.V. Mudryi, A.I. Patyk, I.A. Shakin, A.G. Ulyashin, R. Job, W.R. Fahrner, A. Fedotov, A. Mazanik, N. Drozdov. Impurities and defects in multi-crystalline silicon for solar cells: low-temperature photoluminescence investi-gations. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2002, Vol. 72, p. 503-508.
49. A.Fedotov, A.Mazanik, A. Ulyashin. Charge Relaxation at Oxygen-Enriched Silicon Grain Boundaries. Solid State Phenomena, Vols 82-84, 2002, p. 515-520.
50. A.Г. Ульяшин, A.K. Федотов, Р. Джоб, В.Р. Фарнер, А.В. Мазаник. Применение водородноплазменной технологии для модификации свойств кремния и создания структур на его основе. Физико-химия обработки материалов, 2000, №5, с. 22-27.

Учебно-методические статьи:

51. А.К.Федотов, В.М. Анищик. Развитие учебных лабораторных практикумов по материаловедению для студентов-физиков классических университетов Белоруссии. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. № 4, 2008, с. 72-78.
52. Федотов А.К. Многоуровневый лабораторный практикум по энергоматериаловедению: новые подходы к обучению студентов. Энергоэффективность, № 11, 2008, с. 21-24.
53. A.K. Fedotov, N.A. Drozdov, A.V.Mazanik, N. A. Karbalevich, A.N.Kostin, G.M. Volokhov. Material science for energy saving: new approaches to teaching and learning ( practiced at the department of energy physics of the Belarusian State University). Journal of Materials Education vol. 29 (1-2): 35-42 (2007).
54. А.К.Федотов, А.Н.Костин. Преподавание основ энергосбережения в вузе. Опыт работы кафедры энергофизики БГУ. Энергоэффективность, 3/2005, стр. 20-22.

Патенты:

55. Карбалевич Н.А., Лопатов Г.Я., Федотов А.К. Устройство для определения теплофизических характеристик твердых материалов. Решение о выдаче патента РБ на полезную модель от 03.13.2010 по заяке № И20100601.
56. Н.А. Карбалевич, Г.Я. Лопатов, А.К. Федотов, Г.М. Волохов. Устройство для исследования процессов теплообмена внутри и вне замкнутых объемов. Патент на полезную модель № 4771. 2008 г.
57. Н.А. Карбалевич, Костин А.Н., Г.Я. Лопатов, А.К. Федотов. Устройство для градуировки термопар и термометров сопротивления. Патент на полезную модель № 6121. 2009 г.
Родился 7 февраля 1942 г. в Волгограде.
В 1964 году окончил физический факультет Белорусского государственного университета по кафедре физики твердого тела и полупроводников.
С 1964 по 1966 г.г. аспирант кафедры физики твердого тела и полупроводников БГУ.
С 1964 по 1980 г.г. – инженер, старший инженер, младший научный сотрудник Института физики твердого тела АН БССР.
С 1974 года кандидат физико-математических наук по специальности «Физика твердого тела».
С 1981 по 1997 г.г. – доцент, профессор кафедры физики полупроводников БГУ.
С 1983 по 1996 г.г. – заместитель декана по науке физического факультета БГУ.
С 1994 года доктор физико-математических наук по специальностям «Физика твердого тела» и «Физика полупроводников».
С 1994 года профессор физики.
C 1995 по 2009 г.г. член Ученого совета БГУ.
С 1994 года эксперт Министерства образования РБ по физике.
С 1996 года член Совета по защитам докторских диссертаций при БГУ.
С 1996 года эксперт БРФФИ и ГКНТ.
С 1995 по 2005 год эксперт программы ИНТАС.
С 1997 года является заведующим кафедрой энергофизики.
С 2003 года заместитель председателя Совета по защитам докторских диссертаций при БГУ.
С 2007 года член Секции по проблемам функциональных материалов Совета по новым материалам при Международной ассоциации Академий Наук СНГ.
С 2004 года член редколлегии журнала «Известия ВУЗов: Материалы электронной техники» (Россия).
Автор более 100 статей в международных научных журналах.
Автор монографии и двух учебных пособий.
)