Рус Бел Eng De Cn Es
Пилипенко Владимир Александрович

 Пилипенко  Владимир  Александрович,  родился 18 июля 1949 года в г. Мозыре Гомельской области в семье  служащих,  по национальности – белорус. В 1966 году с серебряной медалью окончил среднюю школу №4  в  г. Мозыре и поступил на первый курс физического факультета отделения  радиофизики и электроники Белорусского государственного университета  им. В.И.Ленина. В 1971 году окончил данный  факультет  и  был  направлен  на  работу  в СКТБ завода полупроводниковых приборов  им. Ф.Э.Дзержинского,  где  прошел  путь  от  инженера  до  заместителя  директора  Государственного центра
«Белмикроанализ»   научно-технического  центра   «Белмикросистемы»   НПО «Интеграл».
В 1981 году после окончания заочной аспирантуры  защитил  кандидатскую диссертацию по специальности твердотельная  электроника  и  интегральная схемотехника, включая материалы, технологию и специальное оборудова ние. В 1990 году защитил докторскую диссертацию по специальности  твердотельная электроника и  микроэлектроника.
С 1981 года по совместительству работает в  Белорусском  государственном  университете  в  качестве  преподавателя.  В  1995  году  получил  звание профессора  по  кафедре  физики  полупроводников,  где  и  сейчас работает по совместительству профессором.  В  2000  году  избран  член-корреспондентом НАН Беларуси.
В настоящее время является председателем экспертного совета  ВАК РБ зам. председателя Государственного экспертного совета по приборостроению, радиоэлектронике и оптике ГКНТ, членом межведомственного экспертного совета по приоритетному направлению фундаментальных и прикладных научных исследований  «Конкурентоспособные изделия радио-,  микро-,  нано-,  СВЧ-  и силовой электроники, микросенсорики, лазерно-оптической техники, разработка новых видов приборов, в том числе для научных целей», членом  Совета  по защите диссертаций в Белгосуниверситете, членом ученого Совета  физического факультета БГУ, членом правления  Физического  общества  Беларуси,  членом
редколлегии журнала «Доклады БГУИР», членом международного института  инженеров по электротехнике и электронике  (IEEE,  Нью-Йорк,  США),  членом научного консультативного совета Американского биографического  института (США).

В 1997 году за активную деятельность по выполнению научно-технической программы «Белэлектроника»  и  организацию  работы  Государственного экспертного совета по  радиоэлектронике,  приборостроению  и  вычислительной технике был награжден почетной грамотой ГКНТ, а в 2004 году  за  активную работу  по  подготовке  и  аттестации  научных  и  научно-педагогических кадров высшей квалификации - почетной грамотой ВАК РБ. В 2000 году с коллективом  сотрудников  института физики НАН Б с научной  работой  «Разработка  аппаратуры  и  методов  лазерной очистки  художественных произведений из металла» стал  победителем  конкурса  в  отделении физики, математики и информатики НАН Б за лучшую  работу  в  области
научно-технических  разработок и практического  использования  результатов исследований в народном хозяйстве Республики Беларусь.

В 2010 году за энтузиазм, высокую  научную  репутацию  и  признанные достижения в области науки и  техники,  обогатившие  сокровищницу  человеческого познания награжден Международным  Биографическим  Центром  (Кембридж, Англия) алмазом Да Винчи и включен в информационный справочник «2000 Выдающихся Интеллектуалов 21-го Века».
За время своей научной деятельности  мной  опубликовано 294 научных работы, как в  нашей стране, так и за рубежом, в том числе  7  монографий,  38 изобретений  и  2  патента  РБ.  За  изобретательскую  деятельность  награжден нагрудным знаком «Изобретатель СССР». Под моим руководством  6  сотрудников НТЦ «Белмикросистемы» и других организаций защитили андидатские диссертации.

Занимаемая должность:
Профессор
Степень, ученое звание:
Доктор физико-математических наук, профессор
Контактная информация:
 
Научные интересы:

Кремний, твердотельная элеткроника, быстрый термический отжиг, интегральные схемы

Монографии, учебники, открытия

 

Пилипенко В.А. и др. Физические основы быстрой термообработки. Температурные поля и конструктивные особенности оборудования. - Мн.: БГУ, 2000. – 136 с.

Пилипенко В.А. и др. Физические основы быстрой термообработки. Создание многоуровневой металлизации. - Мн.: БГУ, 2000. – 146 с.

Пилипенко В.А. и др. Физические основы быстрой термообработки. геттерирование, отжиг ионнолегированных слоев, БТО в технологии СБИС. - Мн.: БГУ, 2001. – 146 с.

Пилипенко В.А. и др. Физические основы быстрой термообработки. Отжиг поликристаллического кремния, диэлектрических пленок, очистка поверхности и эпитаксия. - Мн.: БГУ, 2002. – 131 с.

Пилипенко В.А. и др. Физические измерения в микроэлектронике. - Мн.: БГУ 2003. – 171 с.

Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. - Мн.: БГУ 2004. – 532 с.

Пилипенко В.А. и др. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС. - Харьков: Институт монокристаллов 2008. – 408 с.

 

Пилипенко В.А., Понарядов В.В., Горушко В.А., Шведов С.В., Петлицкая Т.В. Влияние вертикального масштабирования на статические и динамические параметры биполярных микросхем. Вестник БГУ, серия 1, № 2, 2011, с.37.

Пилипенко В.А., Петлицкий А.Н., Горушко В.А., Шведов С.В., Понарядов В.В. Метод и установка контроля плоскостности полупроводниковых пластин. Приборы и методы измерений, № 1(2), 2011, с.71

Пилипенко В.А., Горушко В.А., Шведов С.В., Петлицкая Т.В., Понарядов В.В. Влияние быстрой термообработки на структуры TiSi2 и проводимость шин металлизации на его основе. Материалы 8-й Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, 2011, с.271.

 Пилипенко В.А., Понарядов В.В., Горушко В.А., Шведов С.В., Петлицкая Т.В., Турцевич А.С. Особенности формирования омических контактов металл-полупроводник для субмикронных микросхем. Труды 7-ой Международной конференции «Новые электрические и электронные технологии и их промышленное применение». Закопане, 2011, с.30.

Пилипенко В.А., Понарядов В.В., Горушко В.А., Шведов С.В., Петлицкая Т.В. Влияние вертикального масштабирования на статические и динамические параметры биполярных микросхем. Труды 12-ой Международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии». Одесса, 2011, с.71.

 

)